凈化工程潔凈室的溫濕度主要是根據您的加工工藝要求來確定，在滿足加工工藝的條件下，首先應該考慮人的舒適感。隨著空氣潔凈度要求的提高，工藝對溫濕度的要求也越來越高，必須達到一定的溫濕度等級。例如在大規(guī)模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。

　　濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，凈化工程冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。凈化工程要控制溫濕度具體有什么措施？

　　然而對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：

　　1.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。

　　2.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。

　　3.潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。

　　壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。

　　對于亂流潔凈室由于主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度，所以主要用換氣次數這一概念，而不直接用速度的概念，不過對室內氣流速度也有如下要求；1.送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調房間相比，要求速度衰減更快，擴散角度更大。2.吹過水平面的氣流速度（例如側送時回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成再污染，這一速度一般不宜大干0.2m/s。